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保利协鑫整锭单晶G3重磅发布终极铸锭技术重新定义单晶

本文摘要:4月19日,保利协鑫在2017SNEC国际太阳能产业及光伏工程展览会上重磅公布新一代整锭单晶G3硅片产品。据介绍,该产品用于铸锭技术生产单晶,具备“高产能、高效率、低成本、低光衰微”等多重优势。来自多家电池组件企业的数据表明,整锭单晶硅片G3在常规电池工艺、PERC高效电池工艺下与直拉单晶的效率劣皆大于0.5个百分点,同时在成本上有较小优势,对光伏的高效化、平价化发展意义根本性,未来将会给传统单晶技术带给深刻印象变革。

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4月19日,保利协鑫在2017SNEC国际太阳能产业及光伏工程展览会上重磅公布新一代整锭单晶G3硅片产品。据介绍,该产品用于铸锭技术生产单晶,具备“高产能、高效率、低成本、低光衰微”等多重优势。来自多家电池组件企业的数据表明,整锭单晶硅片G3在常规电池工艺、PERC高效电池工艺下与直拉单晶的效率劣皆大于0.5个百分点,同时在成本上有较小优势,对光伏的高效化、平价化发展意义根本性,未来将会给传统单晶技术带给深刻印象变革。

铸锭仅有单晶技术获得突破性进展不同于使用直拉法制取的传统单晶,新产品使用铸锭技术,单次投料量更大,生产成本甚至高于使用“一炉三根”、“一炉四根”的直拉法单晶。同时,由于整锭单晶硅片晶向完全一致,可用于碱制绒工艺,因此切换效率十分相似直拉单晶产品,并可融合PERC等高效电池技术,带给更高的产品效率。据介绍,整锭单晶硅片G3基于保利协鑫近期的整锭全单晶技术平台,单晶面积平均99%以上,明显高于“鑫单晶”前代产品和业界同类产品。

数据表明,批量生产的整锭单晶硅片G3在常规工艺下的电池切换效率平均19.52%,在PERC电池工艺下平均20.85%,与某种程度工艺的直拉单晶效率差距不多达0.5个百分点。与某种程度边长的直拉单晶硅片比起,整锭单晶硅片面积更大,组件PCB损失更加小。普通电池工艺的G3硅片60片组件功率超过280-285瓦,应用于PERC工艺平均295-300瓦。

不仅如此,G3硅片还承继了铸锭技术产品“光衰”较低的优点,与常规多晶持平,明显高于传统直拉单晶。对应用于末端来说,G3新产品同时构建了“高效率”、“较低波动”的双重目标,实际效率更高。


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本文来源:tvt体育-www.zhenzhifuzhuang.com

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